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NXP Semiconductors i.MX RT500交叉mcu的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2022-04-20

摘要: NXP交叉MCU的电池节省功能和生动的2D图形是便携式人机界面应用的理想选择


NXP Semiconductors的i.MX RT500交叉mcu是edge verse 边缘计算平台的一部分,通过将图形引擎和流线化的Cadence Tensilica Fusion F1 DSP核心与下一代Arm Cortex -M33核心相结合,为低功耗HMI应用程序进行了优化。i.MX RT500系列是NXP edge verse edge计算平台的一部分。这些设备的设计旨在释放基于显示的应用程序的潜力,具有安全、功耗优化的嵌入式处理器。


i.MX RT500 mcu是EdgeLock 保证计划的一部分,提供片上安全功能,并建立在安全引导、安全调试和安全生命周期管理的基础上,旨在抵御远程和软件本地攻击。


i.MX RT500双核微控制器系列是专为嵌入式应用设计的,具有Arm Cortex-M33 CPU结合Cadence Xtensa Fusion F1音频数字信号处理器CPU。Cortex-M33包括两个硬件协处理器,为一系列复杂算法提供了增强的性能,以及一个具有LCD接口的2D矢量GPU和MIPI DSI PHY。该家庭提供了丰富的外围设备和非常低的功耗。设备有5 MB SRAM,两个FlexSPIs(八进制/四SPI接口)每32 KB缓存(与动态解密),高速USB设备/主机+体育,12位1 MS / s ADC,模拟比较器,音频子系统”支持8 DMIC渠道,2 d GPU与MIPI DSI PHY和LCD控制器,SDIO / eMMC;FlexIO;AES/SHA/Crypto M33协处理器,以及PUF密钥生成


i.MX RT500硬件开发从i.MX RT595 EVK开始,这是一个六层HDI PCB,将i.MX RT500与板载内存、连接器和传感器结合在一起。该板与Arduino屏蔽板兼容,并由Arm CM33核心的mccuxpresso软件和工具以及Fusion F1 DSP的Cadence Tensilica Xplorer软件和工具支持。原理图和设计文件将在nxp.com上提供。EVK板与Arduino 硬件屏蔽兼容。EVK还支持两个显示器,可以单独购买。


MIMXRT595-EVK细节

  • 支持i.MX RT595、RT555和RT533开发

  • RT595运行在200 MHz (Arm Cortex-M33)和200 MHz (Fusion F1 DSP)与2D矢量GPU

  • NXP PMIC带电池充电器(PCA9420)

  • NXP六轴加速度/磁强计(FXOS8700CQ)

  • macroix八进制SPI Flash和AP存储器/ pram存储器

  • 音频编解码立体声线进线出/耳机插孔

  • 板载调试探头,带有VCOM和CMSIS-DAP或J-link固件选项

  • DMIC扩展连接器,最多支持8个DMIC

  • 全SD卡插槽

  • Micro-A/B USB支持主机或设备操作

  • Arduino和PMOD扩展连接器

  • 10针和20针SWD连接器支持外部调试/跟踪探头

  • 支持显示的MIPI-DSI连接器和FlexIO连接器

  • 双重诺尔斯DMICs


特性

  • 丰富的集成

    • 可选2D GPU与显示LCD控制器和MIPI DSI支持

    • 四/八进制SPI Flash和pram内存接口与动态内存解密

    • USB 2.0高速主机和设备接口PHY

    • 多达12个flexcomm,可配置SPI/I(2)C/UART/I(2)S接口;单独I(3)C和专用I(2)C用于PMIC

    • 最多提供2个SD/eMMC存储卡接口

    • 数字麦克风接口,支持多达8个通道

  • 先进的安全

    • 使用不可变的硬件信任根进行安全引导

    • SRAM物理上不可克隆功能(PUF)的唯一密钥存储

    • 对称加密(AES-256和SHA2-256)和非对称加密(ECC和RSA)的加速

    • 可选的基于熔丝的根密钥存储机制

  • 节能、实时处理

    • Arm Cortex-M33运行高达200 MHz,超快实时响应

    • 可选的Cadence Tensilica Fusion F1 DSP运行高达200 MHz与32 x 32 MAC

    • 用于安全性和复杂算法的密码学和数学加速器

    • 高达5 MB的片上SRAM,对关键代码和数据的零等待状态访问

  • 低功率

    • 28 nm FD-SOI工艺,优化了有功功率和漏电功率

    • 低漏电SRAM,延长电池寿命


应用程序

  • 工业

  • 运动器材

  • 移动

  • 听得见的

  • Smartwatches

  • 智能家居

  • 中小型电器

  • 物联网

  • 玩具和棋类游戏

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