ROHM Semiconductor RGWxx65C系列内置SiC二极管的混合igbt的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2022-04-13

摘要： ROHM公司的RGWxx65C系列采用SiC SBD作为IGBT的自由旋转二极管

RGWxx65C系列采用ROHM Semiconductor 的低损耗SiC肖特基势垒二极管(SBD)在IGBT的反馈块作为一个自由旋转二极管，几乎没有恢复能量，因此，最小的二极管开关损耗。此外，由于在开启模式下IGBT不需要处理恢复电流，IGBT的开启损耗比传统IGBT中使用的硅快速恢复二极管(frd)显著降低。这两种效应加在一起，在汽车充电器中使用时，与传统igbt相比，损耗降低高达67%，与超级结mosfet (SJ mosfet)相比，损耗降低24%。这种效果提供了良好的性价比，同时有助于降低工业和汽车应用的功耗。

特性

与传统igbt相比，降低了67%的损耗，为流行的汽车电气控制单元和工业设备提供最佳的性价比。

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