意法半导体STPOWER SiC mosfet将宽频带隙材料的先进效率和可靠性带到更广泛的节能应用领域，如电动/混合动力汽车的逆变器、太阳能或风力发电、高效驱动器、电源和智能电网设备。这些mosfet的电压范围从650 V扩展到1700 V，具有优异的开关性能和极低的导通电阻R(DS(ON))每面积优点。ST SiC mosfet允许设计更高效和紧凑的系统比以往任何时候。ST的1200v SiC mosfts具有卓越的+200°C的温度额定值，用于电力电子系统的热设计改进。与硅mosfet相比，SiC mosfet还具有显著降低开关损耗与最小的温度变化。

关键特性

• 汽车级(AG)合格设备

• 高温处理能力(最大。T (J) = + 200°C)

• 非常低的开关损耗(最小的温度变化)，允许在非常高的开关频率下工作

• 在温度范围内的导通电阻低

• 简单的驱动

• 非常快速和稳健的本征体二极管被证明