摘要: ATP的工业级内存解决方案具有DDR3-1600和DDR4-3200,从4gb和16gb
ATP Electronics的AW12M64B8BLK0MW、AW12M7218BLK0MW、AW24M64F8BLK0MW和AW24M7228BLK0MW是高性能、4gb和8gb、DDR3-1600、工业级、无缓冲ECC和无缓冲非ECC、SODIMM、SDRAM内存模块。它们被组织为512Mx64, 512Mx72, 1024Mx64和1024Mx72在一个204针,小轮廓,双列内存模块(SODIMM)封装。这些模块在FBGA包中使用了8、9、16和18512mx8 DDR3 sdram。这些模块由一个256字节的串行EEPROM组成,它包含了模块的配置信息。
特性
工作温度:-40℃~ +85℃
周期时间:1.25 ns (800 MHz)
CAS延迟:11
高密度:
AW12M64B8BLK0MW 4gb (512Mx64)
AW12M7218BLK0MW 4gb (512Mx72)
AW24M64F8BLK0MW 8gb (1024Mx64)
AW24M7228BLK0MW 8gb (1024Mx72)
DIMM排名:
AW12M64B8BLK0MW和AW12M7218BLK0MW: 1级
AW24M64F8BLK0MW和AW24M7228BLK0MW: 2级
异步复位
当TCASE +85°C以下时,刷新间隔为7.8µs, +85°C时,刷新间隔为3.9µs< TCASE & lt + 95°C
动态on-die终止
飞行拓扑
PCB高度:1.18英寸
通过无铅认证
汽车,self-refresh
破裂长度:8
内部通过ZQ自动校准
电源:1.5 V±0.075 V
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