英飞凌扩展了其OptiMOS功率MOSFET系列高性能封装产品，提供了to - lead顶部冷却(TOLT)封装。TOLT套件提供了与TOLL套件相同的高电流低配置优势，并具有顶部冷却的额外优势，可获得最佳的热性能。这种创新的封装，结合optimmos 5功率MOSFET技术的关键特性，能够在80 V和100 V以及大于300 A的高电流额定下，为高功率密度设计提供优秀的产品。

顶部冷却，排水管暴露在封装的表面，允许95%的热量直接散热到散热器，实现了比TOLL封装更好的20%的R(thJA)和50%的R(thJC)。对于底部侧冷却包，如TOLL或D²PAK，热量通过PCB散失到散热器导致高功率损失。

特性

• 低R (DS(上))

• 高额定电流>300 A

• 船壳冷却

• 消极的对峙

• 锡易暴露垫

好处

• 增加系统效率延长电池

• 高功率密度

• 优异的热性能

• 冷却系统节省

• 降低散热器的热阻

应用程序

• E-scooters

• 轻型电动车辆

• 电动工具

• 电池管理系统

资源

• optimmos TOLx MOSFET产品简介

• 电力和传感选择指南2021年

• 白皮书《TOLx家族:TOLL, TOLG, TOLT》

• TOLx包家族-促销页面

• 产品介绍“optimmos TOLT”

• 产品介绍“optimmos TOLG”

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