ROHM Semiconductor扩展了其分立碳化硅(SiC) mosfet的产品组合，目前可在TO-263-7L SMD封装中使用器件。开尔文连接到to -263- 7l封装提供的SiC MOSFET源端的好处如下图所示。主源电感(L(S))不再被栅极驱动回路和主电流路径共享。因此，器件可以切换更快，从而降低了开关损耗。

TO-263-7L贴片封装及其寄生电感

在接通时，三引线器件的开关速度受到限制，因为穿过源端的感应电压降降低了有效栅极电压，导致了较长的di/dt过渡时间和显著的接通损耗。在带有开尔文源连接到门驱动器的SMD封装中的器件中，这一周期更短，因此，通断损耗降低。同样，由于TO263-7L封装中的寄生电感效应降低，在关断瞬态过程中可以实现更高的di/dt速度，导致比to -247封装的关断损耗更低。

虽然SiC mosfet可以实现非常高的开关速度，这可以显著降低电力电子转换器的能量损失，但由于传统功率半导体封装的限制，该器件的全部潜力不能总是被使用。这一更新的包装从ROHM旨在消除这一限制。

特性

• 转换速度快

• 简单的驱动

• Pb-free镀铅;通过无铅认证

• 低导通电阻

• 反向恢复快

应用程序

• 直流/直流转换器

• 开关型电力供应商

• 电机驱动程序

• 太阳能逆变器

• 感应加热