摘要: Wolfspeed的650v碳化硅MOSFET具有低通态电阻和开关损耗,最大效率和功率密度
Wolfspeed的650 V SiC mosfet可以在广泛的电力系统中实现更小、更轻和高效的功率转换。650v mosfet可用于高性能电力电子应用,包括服务器电源、电动汽车充电系统、能源存储系统、太阳能(PV)逆变器、不间断电源和电池管理系统。
与硅相比,Wolfspeed的650 V碳化硅mosfet使开关损耗降低75%,导通损耗减半,功率密度提高三倍。
特性
过温导通电阻低
低的寄生参数
具有超低反向恢复的快速二极管
高温工作(T(J) = +175℃)
开尔文源销
工业标准通孔和SMT封装
启用新的硬交换拓扑(图腾柱PFC)
降低开关损耗和导通损耗,提高系统效率
支持高开关频率操作
提高系统级功率密度
减少系统尺寸、重量和冷却要求
应用程序
高性能工业电源
服务器/电信电源
电动汽车充电系统
储能系统(ESS)
不间断电源(UPS)
太阳能(光伏)逆变器
电池管理系统(BMS)
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