随着其领域场阻沟槽技术的引入，Micro Commercial Components在功率半导体市场继续其产品扩展。第一代IGBT器件允许40a的最大电压为650 V和1200 V。其他电压和电流水平正在研制中。磁场阻挡沟槽技术提供了低导电(低V(ce(sat))和低开关损耗(低E(OFF))，并由于正温度系数而允许并联。这些igbt的典型应用是半桥或全桥拓扑，适用于电机或可再生能源的逆变器、UPS、焊接和感应加热。

特性

• 低电压(ce(sat))用于快速切换

• 温度系数为正的V(ce(sat))

• 坚固耐用，热稳定性好

• 非常紧的参数分布

• 无卤

• 环氧树脂符合UL 94v -0可燃性等级

• 无铅完成/通过无铅认证

应用程序

• 逆变器驱动

• 太阳能逆变器

• 联合包裹

• 焊接

• 感应加热