安森美 NXH010P90MNF1 SiC模块的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2022-09-30

摘要： 安森美半导体 NXH010P90MNF1 SiC模块在F1模块中包含一个10mΩ 900V SiC MOSFET半桥和一个NTC 热敏电阻。该模块的推荐栅极电压为15V至18V。

安森美半导体onsemi NXH010P90MNF1 SiC模块在F1模块中包含一个10mΩ 900V SiC MOSFET半桥和一个NTC 热敏电阻。该模块的推荐栅极电压为15V至18V。NXH010P90MNF1在更高电压下具有改进的RDS(ON)，热阻低。

安森美半导体 NXH010P90MNF1 SiC模块

NXH010P90MNF1 特性

推荐栅极电压：15V至18V

在更高电压下改进RDS(ON)

低热阻

效率更高或功率密度更高

可选择有TIM或无TIM

用于高可靠性热接口的灵活解决方案

NXH010P90MNF1 应用

交流-直流转换

电动汽车充电器

直流-交流转换

储能系统

直流-直流转换

太阳能三相逆变器

不间断电源

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