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摘要： 超级沟槽技术优化高效高频开关性能。
Rectron RM135N100HD n通道超级沟槽功率MOSFET采用独特优化的超级沟槽技术，可提供高效的高频开关性能。由于极低的R(DS(ON))和Q(g)的组合，传导和开关功率损失都被最小化。该装置是高频开关和同步整流的理想选择。
Rectron RM135N100HD n沟道超级沟道功率MOSFET具有紧凑的TO-263-2L封装，非常适合空间有限的应用。
100V漏源极电压(V(DS))
135A连续漏极电流(I(D))
500A脉冲漏极电流(I(DM))
3.7欧姆典型R (DS(上))
92nC闸门总费用(Q(g))
优秀Q(g) x R(DS(on))
210W最大功耗(P(D))
6400pF输入电容(C(ISS))
731pF输出电容(C(OSS))
-55°C至175°C工作结和存储温度范围(T(J)， T(STG))
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