电子元器件产业互联网平台
电子元器件产业互联网平台
一站式电子元器件采购平台
元器件移动商城，随时随地采购
半导体行业观察第一站！
专注电子产业链，
坚持深度原创
电子元器件原材料采购
信息平台
摘要： 具有先进的沟槽工艺技术和优化的使用作为继电器驱动器和线路驱动器。
PANJIT 60V p通道增强型mosfet设计用于最小化通态电阻(R(DS(ON))并保持优越的开关性能。这些器件具有200mA到16A的连续漏极电流，1.1nC到22nC的栅电荷，300mW到50W的功耗。这些mosfet包括先进的沟槽工艺技术，并被优化用于继电器驱动器和线路驱动器。
PANJIT p通道60V增强模式mosfet提供SOP-8, SOT-223-3, SOT-23-3, SOT-23-6, SOT-323-3, SOT-563-6和TO-252AA-3包的设计灵活性。AEC-Q101合格的选项可用于汽车应用。
先进的沟槽工艺技术
漏源极电压(V(DS))
200mA至16A连续漏极电流(I(D))
-20V， +20V栅源电压(V(GS))
4毫欧到240毫欧 ON -resistance (R(DS(ON)))
20ns至65ns典型开机延时时间(td(on))
4.4ns至13ns典型关断延迟时间(td((off))
15ns至42ns上升时间(t(r))
1.1nC到22nC栅极电荷(Q(g))
300mW至50W的功耗(P(d))
sot -8、SOT-223-3、SOT-23-3、SOT-23-6、SOT-323-3、SOT-563-6、TO-252AA-3软件包选项
符合欧盟RoHS 2011/65/欧盟指令
可提供符合AEC-Q101标准的选项
继电器驱动程序
速度线的司机
反极性保护
线性电池充电器
负荷开关
直流-直流转换器
社群二维码
关注“华强商城“微信公众号
Copyright 2010-2023 hqbuy.com,Inc.All right reserved. 服务热线：400-830-6691 粤ICP备05106676号 经营许可证：粤B2-20210308
