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摘要： M3S系列SiC(碳化硅)MOSFET为快速开关应用进行了优化，并提供了一个低22毫欧漏源通电阻。
M3S系列SiC(碳化硅)MOSFET为快速开关应用进行了优化，并提供了一个低22毫欧漏源通电阻。M3S系列SiC mosfet在使用18V栅驱动时提供最佳性能，但在使用15V栅驱动时也工作良好。该器件采用平面技术，工作可靠的负栅电压驱动和关闭栅上的尖峰。
onsemi NTBG022N120M3S 1200V M3S系列SiC MOSFET封装在D2PAK-7L封装中，用于低共源电感。
为快速切换应用程序优化
低开关损耗
485µJ典型的开机开关损耗@ 40A, 800V
最佳性能为18V;15V兼容IGBT驱动电路
100%雪崩测试
提高功率密度
提高了对意外传入电压峰值或振铃的鲁棒性
交直流转换
直粱转换
直流-直流转换
开关模式电源(SMPS)
联合包裹
电动汽车充电器
太阳能逆变器
能量存储系统
1200V漏源极电压(V(DSS))
22毫欧漏源通电阻(R(DS(on)))
-10V/+22V门源电压(V(GS))
0.3V/℃漏源击穿电压温度系数(V((BR)DSS)/T(J))
零栅电压漏极电流(I(DSS))
±1µA栅源漏电流(I(GSS))
连续漏极电流(I(D))
58a @ t (c) = 25°c
41a @ t (c) = 100°c
功耗(P (D))
234w @ tc = 25°c
117w @ tc = 100℃
2.04V至4.4V栅阈值电压;典型2.72 V (V (GS (TH)))
3200pF输入电容(C(ISS))
148pF输出电容(C(OSS))
14pF反向传输电容(C(RSS))
18ns接通延迟时间(t(d(ON)))
上升时间(t(r))
47ns关断延迟时间(t(d(OFF)))
14ns下降时间(t(f))
反向恢复时间(t(RR))
-55°C至+175°C工作结和存储温度范围(T(J)， T(stg))
D2PAK7 (TO-263-7L高压)封装
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