NextPowerS3高性能场效电晶体的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2023-06-01

摘要： Nexperia的高效25 V, 30 V和40 V mosfet与SchottkyPlus体二极管提供低峰值和低IDSS泄漏

Nexperia的NextPowerS3

Nexperia的NextPowerS3高性能25 V, 30 V和40 V MOSFET平台结合了超结技术和铜夹LFPAK包，提供低R(DS(on))，并展示了高达380 a的连续电流能力。这些参数，即强/现实的ID最大额定值，非常强的SOA和低R(DS(on))，同时工作，使独特的高性能和高可靠的mosfet没有妥协。

特性

独特的SchottkyPlus体二极管提供低峰值和低I(DSS)泄漏
可提供逻辑级和标准级门选项

与领先的竞争对手相比，具有巨大的SOA能力
平衡R(DS(on))和Q(G)，实现高效DC/DC

应用程序

12v服务器和计算ORings和热插拔
同步整流器和快速开关控制场效应管
VRM (Voltage regulator)和PoL (point of load)模块

有刷和无刷直流电动机控制
USB PD V(BUS)开关，负载开关和电池保护

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