600v / 650v IGBT - BID系列的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2023-03-06

摘要： Bourns 绝缘栅双极晶体管(IGBT)使用先进的沟槽栅场停止技术，以更好地控制动态特性

Bourns的BID系列IGBT离散解决方案结合了MOSFET栅和双极晶体管的技术。该系列制造了一种专为高电压和大电流应用设计的组件。这些器件使用先进的沟槽栅场阻技术来提供对动态特性更好的控制，从而获得更低的集电极-发射极饱和电压(V(CE(sat))和更少的开关损耗。此外，由于热效率高的to -252、to -247和to - 247n封装，该器件可以提供较低的热阻(R(th(j-c))，使其适合于开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)和功率因数校正(PFC)应用的IGBT解决方案。

特性

额定电压:600v、650v
安培范围:5a至50a
低V (CE(坐))
Trench-gate视场光阑技术
与快速恢复二极管(FRD)共封装

应用程序

smp
联合包裹
PFC
感应加热
步进电机
逆变器

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