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INFINEON TECHNOLOGIES AIKQ200N75CP2

Infineon Technologies AIKQ200N75CP2 Duo Pack EDT2 IGBT的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2023-03-22

摘要： 安装在一个TO247PLUS包中，设计用于主逆变系统。

AIKQ200N75CP2

Infineon Technologies AIKQ200N75CP2 Duo Pack EDT2 IGBT封装在TO247PLUS包中，专为主逆变系统设计。基准的750V EDT2技术显著提高了高压汽车应用的能源效率。它使电池电压高达470V和由于增加过电压裕度安全快速开关。这种to - 247plus包具有高爬电距离，可满足高达470V Vdc的汽车高压应用要求。作为离散逆变器系统设计中广泛使用的包，该包提供了高兼容性，以取代现有逆变器设计中的旧设备。

特性

VCE v = 750
750V集电极-发射极阻塞电压能力
平滑切换的特点
极低的VCE(sat)，在ICnom = 200A时为1.40V
短路的
非常紧密的参数分布
低栅电荷QG
共封装快速软恢复发射极控制3个二极管

符合AEC-Q101要求
在应用中增加过电压裕度
减少所需的并行设备数量
简单的门驱动设计
短路条件下的自限电流
低EMI签名
可靠性高，使用寿命长

应用程序

xEV逆变器
马达驱动

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