摘要: 门驱动器设计用于工作于2.7V至28V宽电压线的外部n沟道mosfet。
东芝TCK42xG过电压保护门驱动ic是为外接n通道mosfet设计的门驱动。这些器件支持工作在2.7V到28.0V宽电压线上的mosfet,具有各种过压锁止线路。这些器件具有低待机电流,小于1µa,内置电荷泵电路,MOSFET门源保护电路等特点。TCK42xG门驱动器适用于移动、可穿戴系统和电源管理电路,如负载开关应用。
东芝TCK42xG过电压保护门驱动器安置在一个小而薄的WCSP6G包中,非常适合空间有限的应用。
n通道共漏MOSFET的门驱动
n通道单高侧MOSFET的门驱动
V(IN max) = 40V高的最大输入电压
V(IN) = 2.7V至28.0V宽输入电压操作
V(IN_OVLO) = 23.26V(类型)过压锁定
V(IN_UVLO) = 2.0V(典型)欠压锁定
Gate-source保护电路
内置充电泵电路(门源电压V(GS) = 10V(类型))
低待机电流- I(Q(OFF)) = 0.9µA max at V(IN) = 12V
-40°C至+85°C的工作温度范围
1.2mm × 0.8mm × 0.35mm WCSP6G封装
体重0.61毫克
用于移动、可穿戴和物联网设备的负载开关电路
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