电子元器件产业互联网平台
电子元器件产业互联网平台
一站式电子元器件采购平台
元器件移动商城，随时随地采购
半导体行业观察第一站！
专注电子产业链，
坚持深度原创
电子元器件原材料采购
信息平台
摘要： 100V MOSFET，采用先进的PowerTrench 工艺与屏蔽栅技术设计。
onsemi NTTFS012N10MD n通道MOSFET采用先进的PowerTrench 工艺设计，其中包含屏蔽栅技术。该过程已经过优化，以最小化通态电阻R(DS(on))，以最小化传导损失，同时保持优越的开关性能。NTTFS012N10MD MOSFET具有低Q(G)和电容，以减少驱动器损耗，低Q(RR)，软恢复体二极管，和低Q(OSS)，以提高轻载效率。典型应用包括隔离DC-DC转换器中的主开关、AC-DC适配器、DC-DC和AC-DC中的同步整流、无刷直流电机、负载开关和太阳能逆变器。
屏蔽栅MOSFET技术
最大R(DS(on))=14.4毫欧在V(GS)=10V, I(D)=15A
最大R(DS(on))=21毫欧 at V(GS)=6V, I(D)=7.5A
100V漏源极电压(V(DSS))
45A连续漏极电流(I(D) max)
效率高，降低开关噪声/电磁干扰
低R(DS(on))，最小化传导损失
低Q(G)和电容，最大限度减少驱动器损耗
低Q(RR)和软恢复体二极管
低Q(OSS)提高轻载效率
MSL1健壮的包装设计
100% UIL测试
通过无铅认证
隔离型DC-DC变换器的主开关
DC-DC和AC-DC同步整流
AC-DC适配器(USB PD) SR
电力供应
负荷开关
马达驱动
热插拔和o型圈开关
无刷直流电机
太阳能逆变器
社群二维码
关注“华强商城“微信公众号
Copyright 2010-2023 hqbuy.com,Inc.All right reserved. 服务热线：400-830-6691 粤ICP备05106676号 经营许可证：粤B2-20210308
