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摘要： 100V MOSFET，采用先进的PowerTrench 工艺与屏蔽栅技术设计。
onsemi NTMFS3D2N10MD n通道MOSFET采用了先进的PowerTrench 工艺，结合了屏蔽门技术。该过程已经过优化，以最小化通态电阻R(DS(on))，以最小化传导损失，同时保持优越的开关性能。NTMFS3D2N10MD MOSFET具有低Q(G)和电容，以减少驱动器损耗，低Q(RR)，软恢复体二极管，和低Q(OSS)，以提高轻载效率。典型应用包括隔离DC-DC转换器中的主开关、AC-DC适配器、DC-DC和AC-DC中的同步整流、无刷直流电机、负载开关和太阳能逆变器。
屏蔽栅MOSFET技术
最大R(DS(on))=3.5毫欧在V(GS)=10V, I(D)=50A
最大R(DS(on))=5.8毫欧在V(GS)=6V, I(D)=30.5A
100V漏源极电压(V(DSS))
连续漏极电流(I(D) max)
效率高，降低开关噪声/电磁干扰
低R(DS(on))，最小化传导损失
低Q(G)和电容，最大限度减少驱动器损耗
低Q(RR)和软恢复体二极管
低Q(OSS)提高轻载效率
MSL1健壮的包装设计
100% UIL测试
通过无铅认证
隔离型DC-DC变换器的主开关
DC-DC和AC-DC同步整流
AC-DC适配器(USB PD) SR
电力供应
负荷开关
马达驱动
热插拔和o型圈开关
无刷直流电机
太阳能逆变器
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