摘要: 设计用于具有低阈值电压和沟槽MOSFET技术的快速开关。
低阈值电压
快速切换
沟MOSFET技术
SOT323、SOT363和SOT23 SMD包
静电放电(ESD)保护大于2kV HBM
60V漏源极电压(V(DS))
8V最大门源电压(V(GS))
-55°C至150°C结温范围(T(j))
-65°C至150°C存储温度范围(T(stg))
继电器驱动程序
高速铁路司机
下部负荷开关
开关电路
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