摘要: 采用硅雪崩技术的0201 DFN-2封装提供高ESD保护。
防静电,IEC 61000-4-2
±30 kv联系
±30 kv空气
EFT, IEC 61000-4-4, 40A (5/50ns)
0201年DFN-2包
1nA典型漏电流在4.5V
7A浪涌公差(IEC 61000-4-5第二版中定义的8/20μs)
回流焊
湿度敏感等级(MSL
无铅、无卤、符合RoHS标准
开关和按钮
测试设备和仪器仪表
销售点(POS)终端
医疗设备
笔记本电脑、台式机和服务器
电脑外围设备
电池
最大峰值电流
4.5V最大反向隔离电压
最小击穿电压5.3V,典型5.5V
最大反向泄漏电流20nA,典型泄漏电流1nA
10V典型夹紧电压
0.17欧姆典型的动态阻力
二极管电容最大为9pF,典型为7pF
单通道
温度范围
-40°C至+125°C工作
-55°C至+150°C存储
材料
Ag (EF(2))镀铅
镍/铁了
硅衬底
UL 94V-0成型复合阀体
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