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摘要： IXYS IX4超结功率mosfet是雪崩级，n通道增强模式mosfet，具有200V漏源击穿电压。
IXYS IX4超结功率mosfet是雪崩级，n通道增强模式mosfet，具有200V漏源击穿电压。IXYS IX4超结功率mosfet采用TO-220 (IXTP)或TO-263 (IXTA)封装，并提供86A或94A连续漏极电流。
1通道
n沟道增强型
雪崩额定
200V漏源击穿电压
连续的漏极电流
86A (IXTA86N20X4和IXTP86N20X4)
94A (IXTA94N20X4和IXTP94N20X4)
漏源电阻R (DS )
10.6毫欧 (IXTA94N20X4和IXTP94N20X4)
13毫欧 (IXTA86N20X4和IXTP86N20X4)
包
TO-220 (IXTP86N20X4、IXTP94N20X4和747-IXTP120N20X4)
TO-263 (IXTA86N20X4和IXTA94N20X4)
- 247 (747 - ixth120n20x4)
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