台积电40V n通道功率mosfet的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2023-03-10

摘要： 采用PerFET 功率晶体管技术，具有超低通电阻的特点。

台积电40V n通道功率mosfet设计工作在PerFET 功率晶体管技术和工作在40V漏源电压(VDS)。这些mosfet具有超低的通阻，可湿侧边引线增强AOI。n通道功率mosfet是无卤，符合RoHS, 100% UIS和Rg测试。n通道功率mosfet的典型应用包括DC-DC转换器，负载开关，螺线管和电机驱动器。

特性

漏源电压(V(DS))
极低的导通电阻
可湿侧翼引线增强AOI
100% UIS和Rg测试
-55°C至175°C的工作结温度
通过无铅认证
无卤符合IEC 61249-2-21
TSM019NH04CR

R (DS(上)(最大),V (g) = 10 V, 1.9欧姆,V (g) = 7, 2.3欧姆
问(g) V (g) = 10 V, 89数控

TSM019NH04LCR

R (DS(上)(最大),V (g) = 10 V, 1.9欧姆和V (g) = 4.5 V, 2.7欧姆
问(g) V (g) = 4.5 V, 49数控

TSM032NH04CR

R (DS(上)(最大),V (g) = 10 V, 3.2欧姆,V (g) = 7, 3.8欧姆
问(g) V (g) = 10 V, 45数控

TSM032NH04LCR

R (DS(上)(最大),V (g) = 10 V, 3.2欧姆和V (g) = 4.5 V, 4.5欧姆
问(g) V (g) = 4.5 V, 23.7数控

TSM056NH04CR

R (DS(上)(最大),V (g) = 10 V, 5.6欧姆,V (g) = 7, 6.7欧姆
问(g) V (g) = 10 V, 27.3数控

TSM056NH04CV

R (DS(上)(最大),V (g) = 10 V, 5.6欧姆,V (g) = 7, 6.7欧姆
问(g) V (g) = 10 V, 29数控

TSM056NH04LCR

R (DS(上)(最大),V (g) = 10 V, 5.6欧姆和V (g) = 4.5 V, 7.8欧姆
问(g) V (g) = 4.5 V, 14.2数控

TSM056NH04LCV

R (DS(上)(最大),V (g) = 10 V, 5.6欧姆和V (g) = 4.5 V, 7.8欧姆
问(g) V (g) = 4.5 V, 16数控

TSM070NH04CR

R (DS(上)(最大),V (g) = 10 V, 7 毫欧和V (g) = 7 V, 8.4欧姆
问(g) V (g) = 10 V, 19数控

TSM070NH04CV

R (DS(上)(最大),V (g) = 10 V, 7 毫欧和V (g) = 7 V, 8.4欧姆
问(g) V (g) = 10 V, 21数控

TSM070NH04LCR

R (DS(上)(最大),V (g) = 10 V, 7 毫欧和V (g) = 4.5 V, 9.8欧姆
问(g) V (g) = 4.5 V, 11数控

TSM070NH04LCV

R (DS(上)(最大),V (g) = 10 V, 7 毫欧和V (g) = 4.5 V, 9.8欧姆
问(g) V (g) = 4.5 V, 11数控

TSM076NH04DCR

R (DS(上)(最大),V (g) = 10 V, 7.6欧姆,V (g) = 7, 9.1欧姆
问(g) V (g) = 10 V, 19数控

TSM076NH04LDCR

R (DS(上)(最大),V (g) = 10 V, 7.6欧姆和V (g) = 4.5 V, 10.6欧姆
问(g) V (g) = 4.5 V, 10.7数控

应用程序

直流-直流转换器
螺线管和电机驱动器

负荷开关

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