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半nthl015n065sc1碳化硅(SiC) mosfet的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2023-05-11

摘要: NTHL015N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET是一个12欧姆,650V MOSFET封装在TO-247-3L封装中。

NTHL015N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET是一个12欧姆,650V MOSFET封装在TO-247-3L封装中。SiC mosfet被设计为快速和坚固。该器件提供了10倍高的介电击穿场强和2倍高的电子饱和速度。mosfet还提供3倍高的能带隙和3倍高的热导率。所有onsemi SiC mosfet包括AEC-Q101合格和PPAP能力的选项,专门设计并符合汽车和工业应用。


特性

  • Typ。R(DS(on)) = 12m @ V(GS) = 18V

  • Typ。R(DS(on)) = 15m @ V(GS) = 15V

  • 超低门电荷(Q(G(tot)) = 283nC)

  • 低电容高速开关(C(oss) = 430pF)

  • 100%雪崩测试

  • 该设备不含卤化物,符合RoHS豁免7a,无铅2LI(第二级互连)


应用程序

  • 开关模式电源

  • 太阳能逆变器

  • UPS(不间断电源)

  • 能量储存

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