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ONSEMI NXH010P120MNF1 SIC

onsemi NXH010P120MNF1 SiC模块的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2023-03-09

摘要： 在F1模块中包含一个10Mohm 1200V SiC MOSFET半桥和一个NTC热敏电阻。

onsemi NXH010P120MNF1 SiC模块包含一个10Mohm 1200V SiC MOSFET半桥和一个F1模块中的NTC热敏电阻。该模块推荐的栅电压为18-20V。NXH010P120MNF1具有改进的RDS(ON)，具有较高的电压和较低的热阻。

特性

推荐栅极电压18V - 20V
改进的RDS(ON)在更高的电压
低的热阻

提高效率或更高的功率密度
选择TIM或不TIM
灵活解决高可靠性热接口

应用程序

交直流转换
直粱转换
直流-直流转换

原理图

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