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ONSEMI 碳化硅 NTH4L060N065SC1

半NTH4L060N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2023-05-19

摘要： NTH4L060N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET提供优越的开关性能和更高的可靠性。

NTH4L060N065SC1碳化硅(SiC)

NTH4L060N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET提供优越的开关性能和更高的可靠性。MOSFET具有低ON电阻，其紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅电荷。因此，系统的好处包括最高的效率、更快的操作频率、增加的功率密度、减少的电磁干扰和减小的系统大小。

特性

Typ。RDS(on) = 44m @ VGS = 18V
Typ。RDS(on) = 60m @ VGS = 15V
超低门电荷(QG(tot) = 74nC)
低电容(Coss = 133pF)

100%雪崩测试
TJ = 175°C
本设备无铅，符合RoHS标准

应用程序

开关模式电源
太阳能逆变器

UPS(不间断电源)
能源存储

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