摘要: onsemi NCx57081 IGBT/MOSFET门驱动是高电流单通道IGBT/MOSFET门驱动,具有3.75kV(RMS)内部电隔离。
具有精确匹配的短传播时延
短路时IGBT/MOSFET门夹紧
IGBT/MOSFET门主动下拉
偏置灵活性的严格UVLO阈值
宽偏置电压范围,包括负VEE2 (B版本)
高瞬态免疫力
高电磁免疫力
低钳压降消除了对负功率的需要
防止假开闸的电源(A版本)
6.5A/-6.5A高峰值输出电流
3.3V, 5V,和15V逻辑输入
3.75kV(RMS)内部电隔离
1315兆瓦的功率损耗
-40°C至150°C结温范围
-65°C至150°C的存储温度范围
电机控制
不间断电源(UPS)
汽车应用程序
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