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PANJIT n通道增强模式mosfet的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2022-11-30

摘要: 利用Trench技术改善产品特性。

PANJIT n通道增强模式mosfet利用沟槽技术来改善产品特性。这些mosfet具有低漏源极电阻和80V漏源极电压。PSMxN08NS1 mosfet是100%雪崩测试,100% rg测试,无铅符合欧盟RoHS 2.0。这些mosfet非常适合用于电池管理系统(bms),无刷直流(BLDC)电机,SMPS和电信电源系统。


特性

  • 100%雪崩测试

  • 100% R(g)测试

  • 符合欧盟RoHS 2.0无铅标准

  • 符合IEC 61249标准的绿色成型材料

  • 80V漏源极电压

  • 终端:

    • 可焊性符合MIL-STD-750,方法2026


应用程序

  • 电池管理系统(BMS)

  • 无刷直流(BLDC)

  • 开关模式电源(SMPS)

  • 电信电力系统


尺寸


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