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PANJIT MOSFET

PANJIT n通道增强模式mosfet的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2022-11-30

摘要： 利用Trench技术改善产品特性。

PANJIT n通道增强模式mosfet利用沟槽技术来改善产品特性。这些mosfet具有低漏源极电阻和80V漏源极电压。PSMxN08NS1 mosfet是100%雪崩测试，100% rg测试，无铅符合欧盟RoHS 2.0。这些mosfet非常适合用于电池管理系统(bms)，无刷直流(BLDC)电机，SMPS和电信电源系统。

特性

100%雪崩测试
100% R(g)测试
符合欧盟RoHS 2.0无铅标准
符合IEC 61249标准的绿色成型材料

80V漏源极电压
终端:

可焊性符合MIL-STD-750，方法2026

应用程序

电池管理系统(BMS)
无刷直流(BLDC)

开关模式电源(SMPS)
电信电力系统

尺寸

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