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半NTH4L020N090SC1碳化硅(SiC) MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2022-12-13

摘要： 提供优于硅的开关性能和更高的可靠性。

半NTH4L020N090SC1碳化硅(SiC) MOSFET提供比硅更好的开关性能和更高的可靠性。onsemi MOSFET具有低ON电阻和紧凑的芯片尺寸，以确保低电容和栅极电荷。因此，系统的优点包括最高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更小的EMI和更小的系统尺寸。

特性

Typ.R(DS(on)) = 20毫欧 @ V(GS) = 15V
Typ.R(DS(on)) = 16毫欧 @ V(GS) = 18V
超低门电荷(Q(G(tot)) = 196nC)
低有效输出电容(C(oss) = 296pF)

100% UIL测试
该器件无卤化物，符合RoHS豁免7a，无pb 2LI(二级互连)

应用程序

联合包裹
直流-直流转换器
提高逆变器

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