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摘要： 包括一个集成的驱动器和保护开关模式电源转换器。
德州仪器LMG3522R030 650V 30毫欧 GaN fet包括一个集成驱动器和开关模式电源转换器的保护。LMG3522R030集成了一个硅驱动器，允许开关速度高达150V/ns。该器件实现了TI的集成精密栅极偏置，从而实现了比离散硅栅极驱动器更高的开关SOA。这种集成，结合TI的低电感封装，在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和最小的振铃。可调的栅极驱动强度允许将转换速率从20V/ns控制到150V/ns，这可用于控制电磁干扰并主动优化开关性能。
TI LMG3522R030 650V 30毫欧 GaN fet具有先进的电源管理功能，包括数字温度报告和故障检测。上报的故障包括过温、过流、UVLO监控。
650V GaN-on-Si FET集成栅极驱动器
集成高精度栅偏压
200V/ns FET延迟
2MHz开关频率
20V/ns至150V/ns的转换速率，以优化开关性能和缓解EMI
从7.5V到18V供电
先进的电源管理
数字温度PWM输出
强大的保护
周期过流和闭锁短路保护，响应小于100ns
硬开关时可承受720V浪涌
自我保护，防止内部过温和UVLO监控
顶部冷却12mm x 12mm VQFN封装分离电气和热路径的最低功率回路电感
开关模式电源转换器
商户网络和服务器电源模块
商用电信整流器
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