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半NTH4L022N120M3S碳化硅(SiC) mosfet的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2023-03-09

摘要: 是1200V M3S平面SiC mosfet系列。


onsemi NTH4L022N120M3S碳化硅(SiC) mosfet是1200V M3S平面SiC mosfet系列。onsemi NTH4L022N120M3S针对快速开关应用进行了优化。平面技术与负栅电压驱动可靠地工作,并关闭栅上的尖峰。这些mosfet在使用18V栅极驱动时具有最佳性能,但在使用15V栅极驱动时也能很好地工作。


特性

  • TO-247-4L包装与开尔文源配置

  • 优秀FOM [= R(dson) * E(oss)]

  • M3S技术22mohm R(DS(ON)),具有低E(开)和E(关)损耗

  • 15V到18V栅极驱动

  • 100%雪崩测试

  • 无卤化物,符合RoHS标准


应用程序

  • 太阳能逆变器

  • 电动汽车充电站

  • 不间断电源(UPS)

  • 储能系统

  • SMPS (Switch Mode Power Supplies)

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