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摘要： 德州仪器UCC21755-Q1汽车栅极驱动器是专为SiC mosfet和igbt高达2121V(pk)UCC21755-Q1提供先进的保护功能，一流的动态性能和健壮性。
德州仪器UCC21755-Q1汽车栅极驱动器是专为SiC mosfet和igbt高达2121V(pk)UCC21755-Q1提供先进的保护功能，一流的动态性能和健壮性。
TI UCC21755-Q1汽车栅极驱动器具有高达±10A的峰值源和汇聚电流。输入端与输出端采用SiO2电容隔离技术隔离，支持高达1.5kV(RMS)的工作电压，12.8kV(PK)的浪涌抗扰性，具有超过40年的隔离屏障寿命，低部分对部分倾斜，以及大于150V/ns的共模噪声抗扰性(CMTI)。
UCC21755-Q1包括最先进的保护功能，包括快速过流和短路检测，分流电流传感支持，故障报告，有源米勒钳，输入和输出侧电源UVLO，以优化SiC和IGBT开关行为。
隔离模拟脉宽调制传感器可用于更易于管理的温度或电压传感。这些特性还增加了驱动程序的通用性，简化了系统设计工作量、尺寸和成本。
5.7kV(RMS)单通道隔离栅极驱动器
AEC-Q100符合以下结果:
设备温度等级0:环境工作温度范围为-40℃~ +150℃
设备HBM ESD分级3A级
设备CDM ESD分类等级C6
功能安全质量管理
可用于辅助功能安全系统设计的文件
SiC mosfet和igbt最高2121V(pk)
4A内部主动铣床夹具
故障时400mA软关断
隔离模拟传感器与PWM输出
温度传感与NTC, PTC，或热二极管
高压直流链路或相电压
33V最大输出驱动电压(VDD-VEE)
200ns响应时间快速DESAT保护与5V阈值
±10A驱动强度，分流输出
最小CMTI为150V/ns
FLT过流报警，从RST/EN复位
RST/EN上快速启用/禁用响应
在输入引脚上拒绝小于40ns的瞬态噪声和脉冲
12V VDD UVLO与电源良好的RDY
输入/输出过冲或欠冲瞬态电压抗扰度可达5V
130ns(最大)传输延迟和30ns(最大)脉冲/部分倾斜
爬电距大于8mm的SOIC-16 DW封装
工作结温从-40°C到+150°C
电动汽车牵引逆变器
车载充电器及充电桩
HEV/ ev的DC/DC变换器
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