英飞凌科技的第7代1200 V TRENCHSTOP IGBT在分立IGBT和二极管技术领域树立了标杆。这种独特的分立产品提供了四种不同封装类型的高额定电流组合，最高可达140 a，与前几代产品相比，传导参数VCE(sat)降低了50%，开关损耗降低了84%。它们在恶劣条件下(包括HV-H3TRB和宇宙射线稳健性)的应用中提供了简单的EMI设计和更高的可靠性。有史以来第一次，这项技术现在可用于1200 V分立IGBT市场。查看完整的阵容，包括H7, S7和T7系列，针对特定应用程序优化了性能。

S7系列:1200 V TRENCHSTOP IGBT7 S7系列是所有需要短路能力/坚固性的工业应用的最佳选择。基准效率和短路坚固的分立提供至少10%的低饱和电压比前几代。选择器件与非常柔软的全额定EC7(发射器控制)二极管共同封装，提供显着降低IGBT饱和VCE(sat)和低Q(rr)。该系列提供卓越的可控性和短路坚固性，扩展了传统IGBT器件的基准。

H7系列:1200 V IGBT共封装分立器件采用TRENCHSTOP IGBT7 H7与发射器控制的EC7快速二极管技术相结合，提供特定的，一流的传导和开关功率损耗性能，以及恶劣条件下的坚固性，以及独特的高电流额定值产品组合，在to -247封装中覆盖40 a至140 a。由此产生的性能有助于满足现代快速开关工业逆变器系统日益增长的要求。

现有的T7系列:这650v系列是第一个设计与最新的微模式沟槽技术，提供无与伦比的控制和性能，随着自由旋转二极管导致显着降低损耗，提高效率，并增加功率密度。它被设计为在单个解决方案中实现从低于5 kHz到40 kHz的开关频率灵活性。它是一个一对一的替代前几代提高性能和优化工业电机驱动和控制。