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650 V和1200 V TRENCHSTOP IGBT7 H7的介绍、特性、及应用

英飞凌科技先进的TRENCHSTOP IGBT7 H7技术满足了对绿色高效能源应用日益增长的需求。

INFINEON TECHNOLOGIES TRENCHSTOP

时间：2024-06-12

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1200 V IGBT7 TRENCHSTOP 系列碳化硅mosfet的介绍、特性、及应用

英飞凌科技的1200 V IGBT7 TRENCHSTOP系列分立igbt和二极管是电动汽车快速充电和不间断电源(UPS)应用的理想选择。

INFINEON TECHNOLOGIES TRENCHSTOP

时间：2023-05-05

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英飞凌分离式 IGBT 推出TRENCHSTOP 先进绝缘封装版本

英飞凌科技股份有限公司 (FSE：IFX/OTCQX：IFNNY) 推出最新的 TRENCHSTOP? 先进绝缘封装技术，包括 TRENCHSTOP 和 TRENCHSTOP Highspeed 3 IGBT 两种版本，拥有同级最佳的散热效能以及更简易的製程。这两种版本经过效能最佳化，可取代完全绝...

英飞凌 封装 IGBT

时间：2017-05-22

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面向单管IGBT的TRENCHSTOP Advanced Isolation封装

英飞凌科技股份公司推出全新封装技术TRENCHSTOP Advanced Isolation。TRENCHSTOP Advanced Isolation可用于TRENCHSTOP和TRENCHSTOP Highspeed 3 IGBT，确保一流的散热性能并简化制造流程。两个版本均经过性能优化，可取...

Advanced TRENCHSTOP 单管IGBT

时间：2017-06-27

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