PANJIT 60V n沟道增强模式mosfet的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2023-07-05

摘要： 在aec - q101合格的DFN5060-8L封装中提供低反向传输电容。

PANJIT 60V n沟道增强模式mosfet在aec - q101合格的DFN5060-8L封装中提供低反向传输电容。这些mosfet在-55°C至+150°C结温范围内工作，提供20W至50W的最大功耗范围和单脉冲雪崩额定值(28A电流，39mJ能量)。应用包括汽车LED照明、无线充电器和DC/DC转换器。

特性

R(DS(ON))， 10V时的V(GS)， 20A时的ID小于6毫欧
R(DS(ON))， V(GS)在4.5V时，ID在10A时小于10毫欧
低反向转移电容
AEC-Q101合格

DFN5060-8L包
可焊接端子符合MIL-STD-750，方法2026
无铅，符合欧盟RoHS 2.0
符合IEC 61249标准的绿色成型化合物

应用程序

汽车LED照明
无线充电器
直流/直流转换器

规范

最大漏源电压为60V
±20V最大栅极电源
最大连续漏极电流

+25°C时68A
+100°C下43A

+25°C时最大脉冲漏极电流为272A
最大单脉冲雪崩

28电流
39岁的乔丹能源

最大功耗

+25°C 50W
+100°C 20W

-55℃~ +150℃工作结温范围
热阻

2.5°C/W连接到外壳(底部)
28°C/W连接-外壳(顶部)
50°C / W junction-to-ambient

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