ROHM半导体RS6/RH6铜夹封装n沟道功率mosfet的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2023-07-06

摘要： HSOP-8和HSMT-8封装mosfet具有高电流处理能力/降低封装电阻。

ROHM Semiconductor RS6/RH6 cu夹封装n沟道功率mosfet在降低封装电阻的情况下具有高电流处理能力。HSOP-8和HSMT-8封装组件同时提供低导通电阻和栅极电荷电容，最大限度地减少能量损失。这些mosfet的工作温度范围为-55°C至+150°C，非常适合在24V/36V/48V电源上工作的驱动应用。

特性

采用铜夹封装，使高电流处理能力与减少封装电阻
同时低导通电阻和栅极电荷电容(权衡关系)最小化能量损失
提供紧凑的3333和5060包装尺寸(HSOP-8和HSMT-8外壳风格)

40V/60V/80V/100V/150V击穿电压(24V/36V/48V输入，考虑尖峰和噪声余量)
适用于在24V/36V/48V电源上运行的驱动应用

应用程序

电力供应

服务器
基站

电机驱动的设备

工业
消费者

规范

40V至150V漏源击穿范围
25A至210A连续漏极电流范围
1.34毫欧至73毫欧漏源电阻范围
±20V栅源范围

2.5V或4V门限范围
16.7nC至67nC栅极电荷范围
-55℃~ +150℃工作温度范围
59W至104W的功耗范围

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