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摘要： 1200V, 8毫欧半桥模块，具有集成的NTC温度传感器和PressFIT引脚。
英飞凌EasyDUAL 1B IGBT模块配备CoolSiC mosfet，具有极低的杂散电感和出色的效率，可实现更高的频率、更高的功率密度和更低的冷却要求。1200V, 8毫欧半桥模块具有集成的NTC温度传感器和PressFIT触点技术。热界面材料可用于xHP_B11变体。这些器件具有0至5V和+15V至+18V推荐栅极驱动电压范围，最大栅极源电压为+23V或-10V，以及17毫欧或33毫欧漏源电阻选项。集成安装夹具提供坚固的安装保证。
同类最佳封装，尺寸62.8mm x 33.8mm x 12mm(长×宽×高)
结合领先的WBG材料和简单的模块封装
极低的模块杂散电感
宽RBSOA
1200V CoolSiC MOSFET与增强型第一代沟槽技术
放大推荐栅极驱动电压窗0 ~ 5V和+15V ~ +18V
扩展最大门源电压+23V和-10V
17毫欧或33毫欧漏源电阻选项
T(vjop)在过载条件下高达+175°C
压入针
集成NTC温度传感器
热界面材料(xHP_B11变体)
集成安装夹
支持更高的频率以增加功率密度
出色的模块效率和最佳的性价比使系统成本降低
系统效率提高，降低冷却要求
通过无铅认证
高频开关应用
直流/直流转换器
UPS系统
电动汽车直流充电器(FF17MR12W1M1Hx型号)
电机驱动(F33MR12W1M1Hx型)
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