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摘要： 特征突发长度(BL)开关瞬时突发长度8或突发斩波(BC) 4。
宇瞻科技有限公司DDR4同步dram (sdram)是采用FBGA封装的高密度内存模块。这些dram具有8位预取，突发长度(BL)开关，突发长度8或突发剁剁(BC) 4，以及双向差分数据频闪。DDR4 sdram还具有串行存在检测(SPD)， 16个内部银行(4个银行组)和7.8μs平均刷新周期(在0°C≤T(C)≤85°C)。这些DRAM支持每个DRAM的可寻址性、写CRC、数据总线反转(DBI)和命令/地址(CA)奇偶校验模式。DDR4 dram符合rohs标准，不含卤素。
突发长度开关在动态BL8或BC4
串行存在检测(SPD)
16家内部银行(4家银行集团)
预取
支持每个DRAM可寻址性
支持写CRC
支持数据总线反转(DBI)
支持CA奇偶校验模式
通过无铅认证
无卤
无铅
1.2V典型电源电压(V(DD))
正常工作温度范围0℃~ 85℃
7.8μs平均刷新周期(0℃≤T(C)≤85℃)
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