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摘要： 具有低源源导通电阻和RoHS兼容。
东芝SSM14N956L MOSFET具有低源源导通电阻和RoHS兼容。SSM14N956L MOSFET是无卤素的。该MOSFET在条件(t≤10s)下提供2.44W，工作在150°C通道温度和-55°C至150°C存储温度范围内。R(SS(ON)) = 1.1毫欧 (typ) (@V(GS) = 3.8V)和R(SS(ON)) = 1毫欧 (typ) (@V(GS) = 4.5V)是低源源导通电阻。该SSM14N956L MOSFET理想地用于电池保护电路。
RoHS兼容
无卤
用于电池保护电路
2.44W (t≤10s)功耗
76nC栅极电荷
12V源到源电压
低源源导通电阻
R(SS(ON)) = 1.1毫欧 (typ) (@V(GS) = 3.8V)
R(SS(ON)) = 1毫欧 (typ) (@V(GS) = 4.5V)
±8V栅源电压
150°C通道温度
存储温度范围-55℃~ 150℃
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