DS1859是一个双数字电阻器，可以根据温度自动调整到编程到EEPROM查找表(LUT)中的值。其他功能包括五到数字通道(包括V(CC)和温度)和与SFF-8472光纤应用兼容的存储映射。本应用说明说明了在I(2)C设备地址A0h上需要超过128字节内存的SFF-8472应用程序中添加外部EEPROM的问题。

DS1859默认内存配置

默认情况下，DS1859响应两个I(2)C地址(图1)。它在I(2)C地址A0h上提供128字节的通用EEPROM存储器，称为辅助存储器。主设备地址(A2h)用于配置和访问其余的芯片资源。主内存被划分为始终可访问的较低内存区(前128字节)和用于访问从地址80h开始的几个内存表的较高内存区。这些内存表是由表选择字节(地址7F，在较低内存中)选择的。

添加外部EEPROM与DS1859

要在I(2)C地址A0h添加外部存储器，必须配置DS1859现有的辅助存储器，使其在读写地址A0h时不会引起冲突。设置控制位ADEN = 1(主设备，内存地址89h，表1)防止DS1859响应A0h设备地址，并将DS1859的辅助内存映射到表0中的主设备的上内存。完成此操作后，可以将响应设备地址A0h的额外内存添加到模块中。除了在A0h设备地址添加的外部EEPROM外，客户还可以通过访问表0中主设备的上层存储器来读取DS1859的辅助存储器。因此，如果在A0h设备地址添加256字节的内存，则384字节的通用EEPROM将可供应用程序使用。图2显示了将通过在设备地址A0h上添加一个单独的256字节EEPROM来创建的复合内存映射。

图3显示了使用Atmel at24co2 256字节EEPROM所需的连接。所示的上拉电阻值将适用于大多数应用，但最终应选择以确保满足I(2)C上升和下降时间规格。将at24co2的所有地址输入接地将使其响应设备地址A0h。这也可以与AT24C01一起完成，为系统添加额外的128字节EEPROM。这不适用于AT24Cxx产品系列的高密度版本，因为它们使用设备地址的最低有效位来指定256字节的内存块。这将导致包含256字节以上的EEPROM版本与主设备地址(A2h)发生冲突。该写保护信号可用于外部存储器的写保护，并使DS1859的MPEN位对主设备地址进行写保护。当写保护设置为低时，无论MPEN位是多少，DS1859的主设备地址始终是可访问的。

结论

DS1859可以与外部EEPROM存储器一起使用，用于需要在设备地址A0h上超过128字节内存的SFF-8472应用。然后应将ADEN位设置为“1”，以将DS1859的辅助存储器映射到表0中的主存储器地址上存储器。一旦完成，DS1859的128字节辅助存储器和额外的EEPROM都可用于通用用途。图3所示的电路图显示了使用Atmel at24co2存储器添加额外256字节EEPROM存储器所需的连接。