这篇文章的类似版本出现在2004年11月25日的EDN杂志上。

电子系统通常必须将其输入或输出与主要参考公共(地)隔离。各种情况都可能需要这种电流隔离:输入传感器或驱动执行器的类型，附加在病人身上的医疗设备的安全考虑，或在爆炸性或其他敏感环境中工作的电路组件。

这些应用的共同要求是需要感知电路浮动侧的数字线的状态。这项任务通常是通过光耦合器完成的，但是光耦合器有局限性——它们从传感端消耗相当多的功率，它们相对较慢，并且光发射器的老化降低了电流传输增益。

图1中的电路复制了数字信号的状态，没有被感测侧的功率损耗，并且在接地侧只有适度的功耗。它只是检测一个电阻负载的值(一个全导MOSFET的低RDSON，或一个开路与MOSFET关闭)应用于一个微型，1:1单匝变压器的二次。采集速度是几十纳秒。

SENSE_CLK信号的前沿是通过MOSFET驱动器(IC1)和RC电路连接在其输入端的组合来区分的。然后将来自IC1的分化5V正脉冲应用于由T1和T2的初级组成的2:1电感分压器。该分压器的中心点连接到超快速比较器(IC3)的反相输入。

如果T2的副极打开(因为DATA_IN = 0，从而关闭MOSFET)，脉冲幅度足够(约2.5V)迫使比较器的内部输出低电平。同时，IC2的两个门产生一个短脉冲(位于施加于T1和T2的脉冲的中间)，该脉冲被施加于IC3的锁存使能(LE)输入。LE将比较器的内部输出锁存到它的外部输出(DATA_OUT)上，产生一个复制DATA_IN的低状态。但是，如果DATA_IN高，则MOSFET为ON，这将产生一个低RDSON，反射到T2的初级。这减少了脉冲幅度从T1-T2分频器到一个水平不再足以触发比较器。因此，在LE处的锁存脉冲强制DATA_OUT为高电平，再次复制DATA_IN的状态。

用于T1和T2的铁氧体磁芯是Fair-Rite 磁头型(#2673000101)，长3mm，直径3.3mm，每个初级和次级绕组都有一个匝数。为了最小化电感，T2和MOSFET之间的连接应该尽可能短。隔离屏障的击穿电压取决于在单匝绕组和pc板设计和构造中使用的绝缘类型。Teflon 或Kapton 绝缘，例如，允许几千伏的阻挡电压。(铁氧体铁芯被认为是导电的。)

如果仔细构建，整个电路的I/O电容由T2的绕线电容决定。使用指定的芯线，加上24号带聚四氟乙烯绝缘的电线，产生的绕线电容小于0.2pF。从SENSE_CLK的正边到DATA_OUT(图2)的采集延迟约为20ns。