介绍

RAID(独立磁盘冗余阵列)由一个系统中的多个硬盘驱动器组成，这些硬盘驱动器看起来像单个驱动器。多个驱动器比单个驱动器系统提供更好的性能和容错性。使用RAID的例子包括服务器(internet、电子邮件、新闻、数据库、文件)、嵌入式系统、电信、工作站和关键任务应用程序。

在RAID系统中，Dallas Semiconductor NV sram(非易失性sram)提供关键任务数据的保护，以及在失去主电源后立即访问数据。Dallas NV sram非常适合RAID应用程序，因为它们提供无限的写入和读取周期，访问速度高达70ns。Dallas NV sram还可以可靠地存储长达10年的数据，仅靠电池供电。

RAID控制器中的NV sram

Dallas Semiconductor NV sram提供了一种保护关键任务数据免受功率损失的优越方法。Dallas NV SRAM像普通的SRAM一样工作，并且被RAID系统视为这样的SRAM。利用内部锂电源和独立的控制电路，NV sram通过不断监测V(CC)来确保所有数据的保存，以防止超出公差条件。当这种情况发生时，锂电源自动打开，并开启写保护，防止数据损坏。图1显示了如何将Dallas NV sram集成到RAID控制器中。

在RAID系统中，系统信息(重启向量、控制器参数、系统配置数据和奇偶校验信息)可以存储在NV SRAM中。当系统断电后，恢复供电后可以快速定位系统信息。NV sram也可用于高速缓存和闪存。

DS3832 (32Mb)和DS3816 (16Mb):带时钟的NV SRAM

DS3832具有32位数据路径，具有用于实时时钟(RTC)的单独8位数据总线。DS3832还包含内部控制电路，可以持续监控V(CC)是否超出公差范围。当这种情况发生时，NV SRAM模块利用附加的锂电源来维持时钟信息和保存存储的数据，同时通过阻止所有内存访问来保护数据。

DS3832从3.3V电源工作，具有工业温度范围和100ns访问时间。DS3816具有16Mb内存，5V电源，工业温度范围和70ns访问时间。两种设备都有一个附加的，可更换的锂电池(DS3802)。电池寿命至少为10年。

设计注意事项

在系统定义期间，需要考虑许多设计问题。除了用NV SRAM取代SRAM外，Dallas NV SRAM还可以用于代替闪存以提高性能和缓存以产生更可靠和性能更好的系统。

闪光

Flash通常用于存储固件、操作系统和管理应用程序。NV SRAM可以用来代替闪存。NV SRAM的读/写速度更快，不会因为太多的写周期而磨损，并且可以写入数据字节而不是数据块。

缓存

要在具有大文件(如图形、音频或视频文件)的系统中提高性能，应该使用更大的缓存。使用多个ds3832或ds3816(参见图2)是增加缓存内存的常用方法。RAID不能避免故障，所以使用电池支持的NV SRAM是有用的。使用NV SRAM电池支持的缓存，如果系统在写入缓存数据之前崩溃，数据将被保存。

结论

RAID系统因其可靠性和存储大量数据的能力而广受欢迎。Dallas Semiconductor的NV sram，如DS3832和DS3816，由于其快速的速度，无限的写入能力和电池备份，是RAID应用的理想选择。它们的特性可以提高RAID系统的可靠性和性能。为您的应用程序选择NV SRAM，请联系技术支持。