p沟道mosfet (pfet)虽然比pnp晶体管更昂贵，但在pnp电路中没有与基极驱动相关的耗散损耗。pfet在轻负载下也具有较低的饱和电压(图1)。事实上，目前可用的低R(DS(ON))，逻辑电平，p通道功率mosfet可以从5.1V电池中调节5V !

这种能力使图2电路从四个电池单元获得5V±10%的电压，即使它们的放电电压低至4.6V。低降电压使电路在电池电压下降时“下降”，最终在大约4.6V时脱离调节。此时的低输入输出差(0.1V)允许几乎100%的效率。请注意，IC1的输出精度(±0.6%的温度)使其适合作为2.5V系统参考。

IC2的引脚可编程偏置电流使整个电路功耗低于50µa的低功耗模式成为可能。在这种模式下，5毫安可用于备用RAM和实时时钟等电路。在高功率模式下，稳压器可以输出1A。

选择100µF输出电容(C1)以适应1A的最大负载电流;对于较轻的负载，您可以将电容器缩放到较小的值。注意，电路的回路稳定性取决于滞后补偿，其中1/2πR (ESR) C1比;14kHz，其中R(ESR)为C1的等效串联电阻。(图1推荐了C1可接受的电容类型。)

配置为5V输出(R1 = 100k欧姆)，电路可以从5个产生7.5V的电池提供500mA，或从4个产生6V的电池提供1A。配置为3V (R1 = 20k欧姆)，它从四个产生6V的电池提供500mA，或从三个产生4.5V的电池提供1A。输入电压可从3V到15V，但有限制;由于Q1上没有散热器，MOSFET的封装耗散额定值限制输入电压和输出电流如下:I(OUT) × (V(IN) - V(OUT))& lt;1.25 w。