电路图1是一个简单的开/关开关，将V(SUPPLY)连接到负载。V(SUPPLY)可以是正、负或交流，其幅度仅受mosfet的最大V(DS)额定值限制。对于所示的设备，该限制为50V。

图1所示 这种双向电源开关处理中等高的正、负和交流电源电压。

变压器的初级绕组和驱动IC工作在5V，产生隔离的次级波形，由D1和D2整流，为n沟道mosfet产生10V V(GS)。V(GS)是孤立的、恒定的，不受V(DS)相对于地的变化的影响。由于单个MOSFET和负V(GS)的组合将允许电流在关闭状态下流动(由于其内部寄生二极管的正向偏置)，因此两个MOSFET是源对源连接的。它们的内部二极管然后是相反的，在关闭状态下阻止任何极性的不必要的电流流动。

关闭IC通过从mosfet去除V(GS)来关闭开关(SD = 5V关闭开关;SD = 0V开启)。关断的速度取决于R1的值;较低的值以较高的电源电流为代价减少关断延迟。(R1 = 1k欧姆时，电源电流为24mA。)如果速度不是问题，通过替换更大的R1将电源电流减小到5mA。图2显示该电路在40V, 1.2A负载下工作。

图2 所示 此示波器图显示了图1电路在40V, 1.2A负载下的工作情况。

其他切换技术也有缺点。例如，继电器具有开关弹跳和高功耗(约0.5W)。大多数功率mosfet的最大V(GS)额定值(标准器件约为20V，逻辑级器件为15V)使其难以承受大于15V的电压。它可以通过栅极电压的电平移位来实现，但这种方法会浪费电力。此外，较高电压所需的较大栅极电阻减慢了开关速度。

类似的想法出现在1997年7月17日的经济日报．