MAX1737、MAX1757和MAX1758是一到四个电池单元的电池充电器(图1)。当移除充电源时，器件使用内部MOSFET的主体二极管提供负载电流。内部二极管电压降为~700mV，负载电流为1A。MAX1737的最大封装功耗为860mW, MAX1757/MAX1758的最大封装功耗为762mW。当电池在没有充电器的情况下提供负载电流时，依靠内部MOSFET的主体二极管是不可接受的解决方案。

图1所示、MAX1737的典型工作电路

补救这种情况的一种方法是在BATT的系统负载上增加一个肖特基二极管。当电荷供应电压存在时，肖特基二极管是反向偏置的。当源电压不存在时，使用1N5820肖特基二极管，在1A负载电流下，从BATT到系统负载的压降为~400mV，接近使用内体二极管时的一半。在1A负载下，电池的功率损失约为400mW，这并不理想。

添加p沟道MOSFET，如虚线图(图2)中所示，以取代上述肖特基二极管。

图2、增加p-MOSFET以提高效率

R1保证在移除充电电压时将Q1的栅极拉低，使Q1及时导通。nt452ap MOSFET在1A负载电流下从电池到系统负载的压降为~60mV。在1A负载下，电池功率浪费约60mW。当负载电流为1A时，系统负载电压从充电器源到电池的过渡时间为~400µs，电压下降至比电池低~400mV，持续时间为100µs。图3显示了从14V充电源到12V电池电压的转变。

图3、从直流电源到电池的切换时间