DS2760高精度锂离子电池监视器具有一定的工作范围，因此它可以用于单电池锂离子或锂聚合物包或2或3电池镍包。然而，许多应用程序需要在串联堆栈中使用更多的单元。DS2760可以在这些应用中用作燃油表IC，从而利用DS2760的许多功能，包括集成25毫欧检测电阻，温度/电压/电流测量，电流积累(库仑计数)，32字节EEPROM和单线通信接口。DS2760唯一不能用于多单元应用的特性是Li包中的集成保护器和SWAP功能。本应用说明介绍了DS2760在带有外部保护器的多单元应用中的使用，例如用于2单元锂电池组的Mitsumi MM1292。

的示意图图1说明了DS2760在多单元应用程序中的可能使用。如DS2760数据表所示，连接到DS2760的无源是适当滤波和ESD增强所必需的。请参考您正在使用的特定LDO和保护器的规格，以获得推荐的原理图。如图所示，DS2760/LDO必须位于保护器的接触侧(而不是单元侧)。

 
图1所示 DS2760在2节锂离子/聚合物电池组中的示例示意图

描述

在DS2760的推荐电源电压范围内，器件必须由输出电压为3.0V至4.0V的LDO供电(Vdd)，例如Maxim MAX1726EUK33。图1中的原理图假设正在使用包含内部25毫欧电流检测电阻的DS2760。否则，在DS2760的SNS和VSS节点之间需要一个低阻抗的外部检测电阻。请参阅DS2760数据表，为您的应用选择合适的外部检测电阻。图1的原理图几乎与DS2760数据表中针对单单元应用程序推荐的原理图相同。以下列出了与数据表中原理图和推荐设备配置的差异。

1. DS2760的集成保护器不能用于多单元应用。因此，CC和DC应该保持浮动状态。可以使用任何多单元独立保护器，支持NMOS或PMOS fet。独立保护器必须放置在DS2760的单元侧，如图1所示。

2. DS2760电源(Vdd)必须由LDO提供，在所有可能的输入电压下，输出电压规格为3.0V至4.0V。该电压范围比DS2760的工作范围窄，因此DS2760不会因保护器违规而进入休眠模式。电容C3可能需要改变，这取决于所选择的特定LDO(参考LDO规范的推荐输出电容)。LDO VSS和DS2760 VSS应该处于相同的电位，这样保护器就在DS2760/LDO电路的单元侧。

3. DS2760的SWAP特性不能在这种多单元应用中使用。SWAP为DS2760提供了对充放电场效应管的控制，这在本应用中当然不会发生。Swap Enable位(SWEN, addr 31h, bit 3)必须设置为0才能禁用Swap命令。如果应用程序需要同时使用多个Li+电池组，则可以添加一个机械开关，以便在连接扩展电池组时物理断开主电池组。

4. 在禁用SWAP的情况下，此配置中的DS2760只能在两种情况下进入休眠状态。如果PMOD位设置为1(推荐)，并且DQ为2秒(封装断开)的逻辑低电平，则DS2760将恢复到低功耗休眠模式，并停止温度，电压，电流和累积电流的测量。其次，如果LDO输出电压低于DS2760的欠压阈值，则DS2760将进入睡眠状态。独立保护器还将为堆栈中的每个单元设置欠压阈值，当达到欠压阈值时，放电场效应管将关闭，从而完全关闭DS2760和LDO。因此，无论DS2760或独立保护器是否检测到欠压，DS2760将恢复到低功耗睡眠模式或在电池耗尽时完全关闭。

5. 当安全违规被纠正后，放电场效应管将再次接通，DS2760和LDO将上电。当PMOD=1时，当包重新连接并且DQ被拉到逻辑高位时，DS2760将返回到Active状态。如果检测到充电器(PLS>VIN)， DS2760也可以退出睡眠模式。然而，这是不可能检测到，而使用独立的保护器，所以这应该通过连接PLS直接到VIN禁用，如图所示。

6. 在所有可能的情况下，DQ将由主机系统中的低压微控制器或ASIC控制。如果没有，则在DS2760的DQ和SNS引脚之间连接4V齐纳。如果使用齐纳器，则齐纳器应连接在R1的DS2760侧，这样电阻可以为齐纳器和DS2760 DQ I/O提供ESD保护。

7. 虽然在图1的原理图中没有实现，但只要不违反PIO引脚的I/O规格，可编程I/O (PIO)引脚可以用于检测逻辑电平或镜像DQ活动(例如控制振动电机)。PIO引脚的绝对最大电压(相对于VSS)为+12V。

总结

虽然DS2760是专门为单芯锂离子或锂聚合物电池组或2芯或3芯镍电池组设计的，但它可以在需要更多电池的应用中用作监测和燃料测量设备。在这种应用中，DS2760只牺牲了SWAP和集成保护器两个特性。必须使用外部保护器和LDO，并且必须禁用DS2760的SWAP功能。此外，DS2760的众多优点可用于多种单元应用，包括高精度库仑计数，集成电流检测电阻，32字节可锁定用户EEPROM，温度和电流测量，LDO电压测量，唯一的64位ROM地址，微型翻转芯片封装和单线串行通信接口。