DS2762、DS2761和DS2760模版C2提供了对原始DS2760操作的升级(模版B2和B3)。这些设备之间的差异很小，可能会导致混淆是否需要系统硬件和软件更新才能从一个设备转换到另一个设备。表1总结了所有DS276x器件之间的功能差异。

低压恢复作业

DS2760C2、DS2761和DS2762提供从PLS引脚到VDD引脚的最大10mA(典型2mA)充电路径。耗尽的电池可以通过这条路径充电到足以为芯片供电并允许正常充电的点。该路径与任何外部充电路径并行运行，否则不影响IC的正常运行。电池不能通过拉低PLS的恢复路径放电。3.0V以上禁止低压恢复，防止电池过充。

Active-Low PS位锁存操作

DS2761和DS2762锁存低活动PS位(特殊特征寄存器的第7位)的低状态。该位不锁存于DS2760上，并将通过激活-低PS引脚返回高位。应该修改访问active-low PS位的现有应用软件或测试代码，将该位写入1，以便在读取0后清除锁存。如果现有系统不访问active-low PS位，则不需要修改。active-low PS引脚和设备休眠模式的操作不受此更改影响。

PLS下拉操作

在休眠模式下，DS2761和DS2762在PLS引脚上提供200µa的下拉。此新功能仅在芯片处于睡眠模式时存在，并防止PACK+浮动，并可能由IC产生假充电器检测。如果从DS2760升级，则不需要任何系统或软件更改。

放电时使能电荷场效应管

当发生过充电时，充电场效应管被禁用，以防止电池进一步充电。DS2760要求电池电压降到充电使能阈值(V(CE))以下，才能重新使能充电场效应管。如果在内部电阻器件或V(IS1) - V(IS2) &gt上检测到大于80mA的放电电流，DS2761和DS2762立即重新使能充电场效应管;外部电阻器件上2mV。这防止了功率损失和热量的产生，通过主体二极管的电荷场效应管。如果从DS2760转换为DS2761或DS2762，该功能将自动发生，不需要任何系统或软件更改。

Active-Low PS和DQ引脚延迟

DS2762在进入主动工作模式之前，在DQ的上升沿和active-low PS的下降沿上合并了100ms的延迟。这可以防止这些线路上的故障导致设备意外退出睡眠模式。DQ线路的正常运行不受此更改的影响。如果从DS2760或DS2761转换为DS2762，则该功能自动发生，不需要任何系统或软件更改。

阈值警报

DS2762具有报警功能，如果温度或累积电流超过预设限制，则会在PIO线上产生中断。通过将IE状态寄存器的2位设置为“1”，可以启用该功能。然后使用用户RAM位置0x80到0x85来设置上限和下限，以比较ACR和温度寄存器。正常的PIO操作在此期间被禁用。

增加ESD抗扰度

DS2762还提供了增强的ESD保护，防止用户RAM位置以及实时寄存器和事件标志的损坏。内部Power on Reset电路也进行了调整，防止静电导致设备复位。数据表中推荐的应用电路应该为大多数应用提供足够的ESD保护。

升高的状态

DS2762立即上电进入ACTIVE模式。DS2761和DS2760C2上电进入SLEEP模式，在切换到ACTIVE模式之前需要充电器检测或电源开关切换。DS2760B2/DS2760B3上电状态未定义;这些设备可以上电进入任何一种模式。

总结

基本上，DS276x的不同模具版本之间的功能差异很小。DS2761和DS2762的操作与DS2760相同，并增加了几个功能增强。激活的低PS位锁存器可能需要对软件进行小的更改以实现兼容性。所有其他增强功能都会自动发挥作用，DS2761或DS2762将在没有系统硬件更改的情况下进入基于ds2760的应用程序。