电流限制通常是必要的，以保护电源免受短路和浪涌，这可能会影响工作，拉低电源电压。包含p沟道MOSFET和可调电流限制的ic可用于此目的，但大多数限于5V系统，典型的最大电流限制为2A，精度较低(根据制造商的说法，为20%至50%)。

“热插拔控制器”(图1中的IC1)的电流调节能力使得更精确和通用的电流限制器成为可能。外部MOSFET和感测电阻使该器件能够保护在3V至12V上运行的系统。将CTIM端子连接到地会禁用IC的DualSpeed/Bilevel功能，从而迫使器件进入启动模式，该模式将电流调节到检测电阻(I(LIM) = 200mV / R(sense))预先设定的极限。

可实现的精度为10%，不包括感测电阻误差，这是一个很大的改进，比上述方法。该电路不仅可以防止短路和电流浪涌，还可以通过将MOSFET的栅极充电电流限制在100 μ A来限制浪涌电流并提高电源电压。驱动ON端子(引脚8)到地断开负载。

外部MOSFET易于处理正常操作;然而，短路通过在MOSFET和感测电阻上施加全电源电压来提高其功耗和芯片温度。如果这种情况持续很长一段时间，热保护是必要的。

您可以通过将NTC温度监视器靠近MOSFET(在板的背面)并使用IC1内部的精密比较器(在on端子上可访问)来添加热保护，当该监视器检测到温度过高时断开负载。如图2所示，当V(CCIN) = 12V, R1 = 20k欧姆， b型热敏电阻(R2) = 10k欧姆(25℃)时，元器件提供85℃的温度阈值(图2)。