不幸的是，MAX6819/MAX6820是单电源器件，无法对设备接地以下的电压进行排序。MAX6819/MAX6820使用外部n沟道MOSFET来切换电路的二次电源。MOSFET栅极驱动，gate，在V(CC2) + 5.5V和GND之间摆动，因此，在负电源电压下，MOSFET不能关断。图1显示了在±5V供电电路中使用MAX6819/MAX6820的示例。

当主电源(V(CC1))低于切换阈值时，GATE被驱动到GND。7.5V齐纳二极管(D1)不导通，允许电阻R1将MOSFET的栅极拉到负电源。这导致V(GS) = 0，使MOSFET失能。一旦V(CC1)超过切换阈值，GATE驱动高电平。与V (CC1) = V (CC2) = + 5 V, V(门(高))= + 10.5 V。D1上的电压降为7.5V, V(G) = +3V，提供V(GS) = +8V。选择一个7.5V齐纳二极管，因为它提供8V的栅极驱动，足以最小化整个MOSFET的IR下降。R(ON)可以通过选择较低电压的齐纳进一步降低，但是要注意GATE电流。R1的大小使产生的V(GS)不会导致GATE电流消耗大于5µa。较大的负载将降低V(GATE(HIGH))，降低器件充分增强MOSFET的能力。