摘要: 游戏盒使用更强大的处理器来提供更逼真和复杂的图形和游戏。随着处理器功率的增加,为部件供电所需的电流也在增加。
游戏盒使用更强大的处理器来提供更逼真和复杂的图形和游戏。随着处理器功率的增加,为部件供电所需的电流也在增加。下图中的MAX1954在26A时从5V输入输出1.65V。
MAX1954是一个300kHz电流模式降压控制器。MOSFET驱动器的强度足以处理100nC栅极电荷。给定标称输入和输出电压,占空比为33%,高侧和低侧场效应管的导通电阻相应偏斜。两个导通电阻分别为12毫欧的IRF7811W用于高侧,两个导通电阻分别为6.5毫欧的IRF7822用于低侧。两个并联的IRF7811W比一个IRF7822具有更好的开关特性。
7个22µF/6V X5R陶瓷电容器用于输入旁路,以处理12.5A(RMS)的输入纹波电流。在5V输入时,陶瓷电容器比电解电容器更具成本效益和体积更小。此外,MAX1954通过观察高侧场效应管导通电阻上的电压来检测电流,陶瓷旁路电容器为电流检测电路提供了更好的参考。在每个低侧场效应管上包括一个2.2nF的陶瓷电容,以抑制漏极电容对键合线电感的寄生环。这种振铃会影响电流检测电路。
脉冲工程电感器是一种定制部件,设计用于处理70A峰值电流而不饱和。MAX1954使用基于低侧场效应管导通电阻的“谷”电流限制。电流限制是200mV除以低侧场效应管导通电阻(3.3毫欧)加上电感斜坡电流(10A),等于70A。0.5µH/70A电感并不完全可用,需要定制设计来提供短路保护。
三洋输出电容在ESR,纹波电流额定值和成本之间提供了良好的平衡。电容足够大,输出纹波由ESR控制。应用程序不需要低调。
当高侧场效应管关断时,捕获二极管D2限制LX节点的负电压。与R4一起,这控制升压电容器C8在高线和最大输出电流上的电压。没有D2和R4, C8上的电压可以BST到LX的绝对最大电压6V。
MAX1954在26A时从5V输入输出1.65V。在26A时效率为86%,在10A时效率为90%。输出纹波为25mV(P-P)。
V(中) | 我(在) | V(出) | 我 | 效率 |
5.0081 | 0.086 | 1.6663 | 0 | |
4.4905 | 11.13 | 1.6547 | 26 | 0.861 |
5.0125 | 9.95 | 1.6530 | 26 | 0.862 |
5.509 | 9.04 | 1.6513 | 26 | 0.862 |
25 mv (p p) |
图1所示
指定 | 数量 | 描述 |
C1 | 1 | 4.7µF 10V X5R陶瓷电容器(1206)Taiyo Yuden LMK316BJ475ML |
C2-C8 | 7 | 22µF 6V X5R陶瓷电容器(1210)Taiyo Yuden JMK325BJ226MN |
制备过程 | 1 | 0.22µF陶瓷电容器(0603) |
C10-C13 | 4 | 1000µF 4V铝电解电容器三洋4MV1000EXR |
碳 | 1 | 10µF 10V X5R陶瓷电容器(1210)Taiyo Yuden LMK325BJ106MN |
C15 | 1 | 1nF陶瓷电容器(0603)Kemet C0603C102K8RAC |
C16 | 1 | 100pF陶瓷电容器(0603)Kemet C0603C101K5GAC |
C17,使用C18 | 2 | 2.2nF陶瓷电容器(0603)Kemet C0603C222K8RAC |
D1 | 1 | 100mA 30V肖特基二极管中央半CMPSH-3 |
L1 | 1 | 0.5µH 30A电感脉冲工程PA0453 |
N1、N2 | 2 | 12毫欧 30V N-ch MOSFET (SO-8)国际整流器IRF7811W |
N3,陶瓷 | 2 | 6.5毫欧 30V N-ch MOSFET (SO-8)国际整流器IRF7822或Siliconix Si4842DY |
第一季度 | 1 | NPN晶体管(SOT-23)中央半CMPT3904 |
R1 | 1 | 8.87k欧姆 1%电阻器(0603) |
R2 | 1 | 8.25k欧姆 1%电阻器(0603) |
R3 | 1 | 270k欧姆 5%电阻器(0603) |
R4 | 1 | 1欧姆 5%电阻器(0603) |
R5, R6 | 2 | 47k欧姆 5%电阻器(0603) |
U1 | 1 | MAX1954EUB(10 -µ马克斯 ) |
社群二维码
关注“华强商城“微信公众号
Copyright 2010-2023 hqbuy.com,Inc.All right reserved. 服务热线:400-830-6691 粤ICP备05106676号 经营许可证:粤B2-20210308