在图1中，MAX6126 (U1)是一个电压基准，其超低输出噪声通过低通滤波器(R1和C1)进一步降低，该滤波器衰减噪声频率高于其约0.16Hz截止频率。滤波后的参考电压被馈送到误差放大器U2的反相端，后者通过p通道功率场效应管(M1)和反馈电阻(R2和R3)调节输出电压。R2和R3确定输出电压如下:

R3 = r2 [(v (out)/ 2.048v) - 1]

噪声分析简化图(图2)显示了低通滤波器R1-C1滤除的参考噪声，它极大地衰减了高频噪声(>f (3 db))。运算放大器的噪声电流(指定为0.5fA/√赫兹)的电压噪声可以忽略不计。因为参考噪声与运放电压噪声是串联的，所以它们加在一起。MOSFET噪声在M1输入处建模。

U2反相端的噪声等于其非反相端的噪声:

其中V(n_OUT)是LDO的输出噪声，V(n_REF)是参考噪声，V(n_OPAMP)是运放的输入参考噪声，H(f)是R1-C1低通滤波器的传递函数。

如果感兴趣的噪声频率远高于滤波器的截止频率，则参考噪声可以忽略不计，并且LDO的输出噪声只是运算放大器噪声乘以闭环增益。MOSFET噪声(图2中的V(n_fet))被环路抑制，对输出噪声没有影响。对于环路带宽内的频率，LDO还抑制由V(DD)引入的纹波和噪声电压。

MAX6126低噪声LDO的噪声密度与频率关系图(图3)显示，在1kHz时噪声性能约为6nV/√Hz。相比之下，典型的低噪声ldo具有更高的噪声密度，例如MAX8887的噪声密度为500nV/√赫兹在1 khz。因此，图1电路显示了与MAX8887低噪声LDO相比38dB的改进。测量仪器的本底噪声也显示出来。